Análisis de fallos de componentes semiconductores

La detección de youerhongxin tiene una gama completa de capacidades de prueba de componentes semiconductores desde la superficie hasta el interior, pruebas de des, pruebas fib, tomografía computarizada industrial, experimentos de tinta roja, análisis de secciones, cromatografía iónica y otros proyectos de cobertura completa, puede identificar eficientemente problemas como soldadura virtual, agrietamiento y residuos iónicos, realizar pruebas precisas de acuerdo con instrumentos profesionales y ayudar al control de calidad de los dispositivos electrónicos.

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En el trabajo práctico, unAnálisis de fallos de componentes semiconductoresPor lo general, se sigue el principio básico de "primero fuera, luego dentro, primero sin daños y luego destrucción".

1. Recogida de fenómenos de falla y localización de fallas

Este es el punto de partida de todos los análisis. Necesitas registrar lo más detalladamente posible:

¿Fenómeno de falla: ¿ no funciona, o los parámetros se desplazan, o es una falla intermitente?

¿Entorno de falla: ¿ en qué pruebas o condiciones de uso se produjo?

¿Proporción de fallos: ¿ son fenómenos individuales o problemas por lotes?

Basándose en el fenómeno, a través de la prueba de rendimiento eléctrico (como la prueba de curva iv) y la inspección visual, se bloquea inicialmente la parte aproximada del fallo.

2. Análisis no destructivo

Bajo la premisa de no causar daños a las muestras, debemos hacer pleno uso de varios instrumentos para la investigación.

Examen visual: use un microscopio óptico para un examen cuidadoso en busca de anomalías sutiles como decoloración, grietas, contaminación, etc.

Prueba de características eléctricas: la prueba de curva IV puede ayudarte muy rápido a confirmar si hay cortocircuitos, circuitos abiertos, fugas de electricidad y otros problemas de alta resistencia en el pin de falla.

Inspección no destructiva de la estructura interna:

Para el cableado interno de pcb, puntos de soldadura (especialmente bga), etc., la perspectiva de X - Ray esMejor opción.

Para la estratificación de los dispositivos de sellado de plástico después de la humedad, la explosión de placas de pcb, etc., la ecografía (c - sam) es particularmente efectiva porque es muy sensible a los defectos de la interfaz.

3. Tecnología de análisis destructivo

Cuando el análisis no destructivo no puede determinar la causa raíz, después de obtener la autorización, es necesario realizar un análisis destructivo.

Análisis de corte: este es un método clásico para observar la microestructura interna de los agujeros de los pcb, puntos de soldadura, etc. A través de una serie de pasos, como muestreo, incrustación, corte, pulido y corrosión, se prepara una sección transversal para la observación microscópica.

Molienda de iones: esta es una tecnología de preparación de muestras más avanzada en la actualidad. El pulido mecánico tradicional puede introducir arañazos o contaminación por abrasivos, mientras que el pulido por iones utiliza haces de iones para el corte y pulido, lo que permite obtener secciones transversales libres de estrés y contaminación, lo que hace que las imágenes observadas bajo Sem sean más reales y claras.

Análisis SEM / eds: la colocación de las rebanadas preparadas en la microscopía electrónica de barrido (sem) permite observar estructuras microscópicas extremadamente sutiles, como compuestos intermetálicos, microcracks, Barbas de estaño, etc. Junto con el espectrómetro de energía (eds), también se pueden realizar análisis cualitativos o incluso semicuantitativos de la composición de los elementos en pequeñas áreas para ayudar a juzgar el origen de contaminantes o corrosivos.

Análisis de kaifeng: si la falla se localiza en el interior del chip, es necesario exponer la obleas del chip a través de Kaifeng químico (encapsulamiento de plástico externo corroído por ácido) o métodos físicos para observar quemaduras, perforaciones y otros defectos en su interior con sem.

4. Análisis exhaustivo y conclusiones

Por último, es necesario hacer un razonamiento lógico integral de todos los datos, imágenes y hechos obtenidos para determinar los fallos del mecanismo (como el daño electrostático, el estrés mecánico, la electromigración, etc.) y finalmente identificar la causa raíz, formando un informe de análisis de falla estructuralmente claro que proporcione la dirección para futuras mejoras de calidad.

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